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据悉,三星是自去年供货10nm级(1x?)服务器DRAM给亚马逊,而DRAM出问题的部分可能在于调整电压的栅氧化层(gate oxide),严重时会造成资料损坏,亚马逊要求,并联系其它供应商以取代三星有质量问题的DRAM。对于DRAM遭退货的消息,三星基于客户保密原则,拒绝评论此事。
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然而,随着DRAM制程向10nm靠近,其技术难度越大,包括芯片设计、生产良率、兼容性等问题。三星从2018年中开始使用18nm制程量产8Gb容量的服务器DRAM芯片,如今三星1xnm DRAM良率不佳,或加快1znm技术发展。
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